Mosfet IGBT30F124

Especificaciones
Polaridad de transistor: Canal N
Voltaje de drenaje a fuente VDS: 300 V
Corriente continua de drenaje ID: 200 A
Disipación de potencia PD (Tc=25°C): 25 W
Temperatura de operación mínima: -55 °C
Temperatura de operación máxima: 150 °C
Encapsulado: TO-220F
Número de pines: 3

Ref: IGBT-30F124

Transisitor Mosfet IGBT