Características / Especificaciones técnicas
Tipo de embalaje: TO-220
Tipo de transistor: Canal N
Voltaje máximo aplicado de drenaje a fuente: 55V
Voltaje máximo de puerta a fuente: ±20V
Corriente de drenaje continua máxima: 17 A
Máxima corriente de drenaje pulsado es: 68A
Máxima disipación de potencia: 45W
Resistencia de drenaje a fuente en estado ON (RDS on): 0.07Ω
Temperatura máxima de almacenamiento y funcionamiento: -55 a +150 grados centígrados
Ref: IRFZ24
Mosfet Transistor