IRFP250N Mosfet Canal N

Características:

Tipo de Encapsulado: TO-247
Transistor equivalente a NTE2376, IRFP250
Transistor Mosfet Canal N
Voltaje Drain – Source (VDSS): 200V
Voltaje Drain – Gate (VDGR): 200V
Voltaje Gate – Source (VGS): ± 20V
Corriente Drain (ID): 30A
Corriente Pulsada en Drain (IDM): 120A
Resistencia de Conducción (RDS): 0.075 Ω
Potencia Máxima Disipada (PD): 214W

Ref: IRFP-

Transisitor Mosfet IGBT