AOTF9N90 TF9N90 Mosfet

TIPO

DESCRIPCIÓN
Categorías:                   Productos semiconductores discretos
Transistores – FETs, MOSFETs – Simple

Estado de la pieza:      Activo
Tipo de FET:                 Canal N
Tecnología:                  MOSFET (óxido metálico)
Tensión de drenaje a fuente (Vdss):                      900V
Corriente – Drenaje continuo (Id) @ 25°C:            9A (Tc)
Tensión de accionamiento (Rds máx. activado, Rds mín. activado):     10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:                                           1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:                                                    4,5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs:                        58nC @ 10V
Vgs (Max):                                                                   ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:        2560pF @ 25V

Característica del FET

-Disipación de potencia (Max):              50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:       -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:                                      Agujero pasante
Proveedor Paquete del dispositivo:     TO-220-3F

Ref: IGBT-AOTF9N90

Transisitor Mosfet IGBT