K75T60 Transistor IGBT

Transistor IGBT K75T60

Descripción general

El K75T60 es un transistor IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) de potencia fabricado por Infineon bajo la tecnología TRENCHSTOP™ / Fieldstop. Está diseñado para aplicaciones de alta tensión (≈ 600 V) y altas corrientes (≈ 75 A), ofreciendo una combinación de eficiencia, velocidad de conmutación y robustez. 
Este tipo de dispositivo es ideal en fuentes conmutadas, inversores, UPS, control de motores y otros sistemas de electrónica de potencia.

Especificaciones técnicas destacadas

• Voltaje máximo colector-emisor (V_CE) ≈ 600 V.

• Corriente continua de colector (I_C) hasta ≈ 75 A (dependiendo de condiciones térmicas).

• Tensión de saturación típica V_CE(sat): ≈ 1.5 V (typ) a condiciones estándares.

• Temperatura máxima de unión: hasta 175 °C.

• Tiempo de aguante en cortocircuito: ~5 µs.

• Tecnología: IGBT de potencia con diodo antiparalelo de recuperación rápida, baja EMI, coeficiente de temperatura positivo en VCE(sat). DataSheet-PDF.info+1

• Encapsulado típico: TO-247-3 (facilita disipación de calor).

Aplicaciones sugeridas

Ref: IKW75N60T

Transistor IGBT