IRF840 – MOSFET de Potencia Canal N

Descripción general

El IRF840 es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para manejar altos voltajes (hasta 500 V) y corrientes medias (≈8 A). Es muy utilizado en fuentes conmutadas (SMPS), inversores, convertidores DC-DC, control de motores y aplicaciones de potencia donde se requiera conmutación rápida y baja resistencia en conducción.

Gracias a su robustez y disponibilidad, es un componente estándar en la electrónica de potencia.

Características principales

• Tipo: MOSFET de potencia, canal N.

• Voltaje drenador–fuente (Vds): 500 V máx.

• Corriente de drenador (Id): 8 A máx.

• Resistencia de conducción (Rds(on)): ≈0.85 Ω (a Vgs = 10 V).

• Tensión puerta–fuente (Vgs): ±20 V.

• Potencia disipada (Pd): 125 W máx. (con disipador adecuado).

• Frecuencia de conmutación: apto para decenas de kHz, usado en SMPS y control de potencia.

• Encapsulado: TO-220 (fácil de montar en disipador).

Ventajas

• Soporta altos voltajes (500 V), ideal para aplicaciones conectadas a red (AC rectificada).

• Corriente de hasta 8 A, suficiente para etapas de potencia de nivel medio.

• Bajo costo y disponibilidad en el mercado.

• Encapsulado TO-220 fácil de refrigerar con disipador.

• Conmutación relativamente rápida, útil en fuentes conmutadas.

Ref: IRF840N

Mosfet Transistor