Descripción del producto:
Tipo FET
Canal N, óxido de metal
Característica de FET
Estándar
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
55V
Corriente – Drenaje continuo (Id) a 25°C
49A (Tc)
Rds On (Max) a Id, Vgs
17.5 mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (Max) a Id
4V a 250µA
Carga de la puerta (Qg) a Vgs
63nC a 10V
Capacidad de entrada (Ciss) a Vds
1470pF a 25V
Potencia – Max 94W
Tipo de montaje: A través del agujero
Paquete / Estuche: TO-220-3
204923991.
Especificaciones del artículo:
Condición: Nuevo
Escriba: Transistor de efecto de campo
Tipo de paquete: Agujero de paso
Número de modelo: IRFZ44N
Ref: IRFZ44
Mosfet Transistor
