Producto Atributo Atributo
Tipo de canal: N
Configuración: Simple
Dimensiones: 10,54 x 4,69 x 15,24 mm
Corriente de drenaje: 17 A
Resistencia de drenaje a fuente: 90 mΩ
Tensión de drenaje a fuente: 100 V
Transconductancia hacia delante: 12 S
Tensión de avance, diodo: 1,3 V
Tensión de la puerta a la fuente: ±20 V
Altura: 0.6″ (15.24mm)
Capacitancia de entrada: 920 pF @ 25 V
Longitud: 0.414″ (10.54mm)
Temperatura máxima de funcionamiento: +175 °C
Temperatura mínima de funcionamiento: -55 °C
Tipo de montaje: Agujero pasante
Número de elementos por chip: 1
Número de pines: 3
Tipo de embalaje: TO-220AB
Polarización: N-Canal
Disipación de potencia: 70 W
Cabecera del producto: Hexfet® Power MOSFET
Traducción realizada con la versión gratuita del traductor www.DeepL.com/Translator
Ref: PCB-IRF520
Mosfet IRF520 PCB