Designador de tipo: GT30J124
Tipo de canal IGBT: Canal N
Disipación de potencia máxima (Pc), W: 26
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión de saturación colector-emisor |Vcesat|, V: 2,4
Corriente máxima de colector |Ic|, A: 200(pulso)
Empaquetado: TO220SIS
Ref: IGBT-30J124
Transisitor Mosfet IGBT
