IRGIB15B60KD1 GIB15B60KD1 600V 12A IGBT Transistor

TIPO DESCRIPCIÓN
Categoría: Productos semiconductores discretos Transistores – IGBTs – Simple
Fabricante: Rectificador Internacional
Estado de la pieza: Activo
Tipo de IGBT Canal N
Tensión – Rotura del colector (máx.): 600 V
Corriente – Colector (Ic) (Max): 12 A
Corriente – Colector Pulsado (Icm): 32 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Potencia – Max: 44 W
Energía de conmutación: 156µJ (encendido), 165µJ (apagado)
Tipo de entrada: Estándar
Carga de la puerta: 41 nC
Td (encendido/apagado): @ 25°C 25ns/180ns
Condición de prueba: 400V, 15A, 50Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr): 79 ns
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Agujero pasante
Paquete / Caja: TO-220-3 Full Pack
Proveedor Paquete del dispositivo: TO-220AB Full-Pak

Ref: GIB15B

Transisitor Mosfet IGBT